电子发烧友网综合报道 在6月4日的从C出台积电股东会上，董事长兼总裁魏哲家针对备受瞩目的到C电先进封装技术给出了明确的最新表态。他直言：“先进封装与新材料技术发展没有捷径。台积”

同时，从C出他透露了CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技术的到C电量产时间线：目前台积电已建设完成CoPoS试产线，但预计还需要2至3年的台积时间，产量才能达到相当大的从C出规模。这一表态标志着该技术正式从实验室迈向产业化前夜，到C电但也意味着距离大规模商业化仍需耐心等待良率爬坡。台积

在这场由CoWoS向CoPoS演进的从C出产业变革中，玻璃基板被业界誉为“AI时代先进封装的到C电新一代底座”。相较于传统的台积硅中介层或有机基板，它展现出了全方位的从C出压倒性优势。

首先是到C电卓越的热稳定性与平整度，其热膨胀系数可精准控制在3~9 ppm/℃，台积与硅芯片高度匹配，能减少70%以上的高温翘曲问题。其次是超高互连密度与低信号损耗，其表面比有机材料光滑5000倍，支持微米级超精细布线，高频传输功耗可降低约50%，完美适配高算力芯片长时间稳定运行及光电共封装（CPO）的需求。

此外，通过采用大型矩形面板替代传统圆形晶圆，不仅大幅提升了面积利用率，还预计能将单位面积的封装成本大幅降低。

面对这一巨大的技术红利，全球半导体巨头正加速布局，行业正处于从“技术验证”向“商业化落地”跨越的关键拐点。英特尔采取自主量产路线，此前已在亚利桑那州累计投入超10亿美元建设专属研发与量产线，2026年1月正式宣布玻璃基板技术进入大规模量产阶段。

SK集团旗下的Absolics在美国佐治亚州建成了全球首座玻璃基板专用工厂，有望在2026年底启动全球首条商业化量产；三星电机则持续向苹果提供玻璃基板样品进行测试，计划于2027年后实现量产。

在国内产业链方面，京东方A与康宁签署合作备忘录，推进玻璃基板技术量产；沃格光电、长电科技等企业也在TGV工艺和下游封测应用上取得了阶段性突破，力争在2028年的规模化渗透期抢占先机。

然而，魏哲家强调的没有捷径，正是源于CoPoS目前面临的严峻工艺挑战。首先是均匀度与翘曲控制难题，由于面板尺寸远大于传统晶圆，多种材料结合产生的热应力极易导致严重的变形，这不仅会影响曝光对位精度，还会限制最小线宽与通孔尺寸。

其次是TGV 通孔良率的考验，TGV 成孔精度、孔内无缺陷填充及铜层附着力是决定量产的核心瓶颈。适配 CoPoS 大面板架构的全新 TGV 试产线起步良率仅 10%~30%，常规成熟试样产线良率可达 60%~80%；面对单基板百万级通孔的严苛可靠性要求，量产落地需要综合良率稳定突破 90%。

最后，从晶圆级跨越“面板级，整个工艺链条和设备体系都需要重塑。高精度面板曝光设备、压平吸附设备等尚处于开发验证阶段，供应链门槛极高。

基于上述瓶颈，台积电的战略重心十分清晰。在CoPoS还需2-3年才能放量的背景下，现有的CoWoS和SoIC技术生命周期将显著延长。未来两年内，台积电的CoWoS产能已全部被英伟达等客户预订一空，将继续作为支撑AI算力需求的核心支柱。

与此同时，台积电正与英伟达等首批战略合作伙伴进行紧密的共同验证，以确保未来的量产效率与良率表现。